我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世
发布时间：2025-07-07 22:11:46 作者：玩站小弟 
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我要评论我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世首创掺氮中子嬗变硅单晶 解决了硅片完整性和均匀性问题6月24日，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏
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我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾院士逝世
首创掺氮中子嬗变硅单晶 解决了硅片完整性和均匀性问题
6月24日，国早硅材中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、期半中国科学院半导体研究所研究员、导体我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，料奠梁骏不幸于2022年6月23日17时在北京逝世，基人享年89岁。吾院
梁骏吾院士1933年9月18日生于湖北武汉，士逝世1997年当选中国工程院院士。国早硅材他先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，期半国家科技进步三等奖1次、导体中科院重大成果和科技进步一等奖3次、料奠梁骏二等奖4次，基人上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。吾院
梁骏吾院士从事半导体材料科学研究工作六十多年，士逝世是国早硅材我国早期半导体硅材料的奠基人。上世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术；1964年制备出室温激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶；80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题；90年代初研究 MOCVD 生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平；他还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用。
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